NSR-S609B，通过暴力双重曝光和分辨率增强技术，理论可以做到55nm。

    只是比起ASML的浸没式技术，良率太低，才40%不到，完全没有达到生产价值。

    ASML的浸没式光刻机可以把可用分辨率压缩1.5倍左右，理论上可以达到38nm，台积电现在已经能稳定制造65nm，良率可达90%以上。

    现在日本在搞邪修，一心通过多重曝光技术提升极限，阿斯迈尔在搞正统修炼，通过提升显微镜的放大能力和转变光刻机的物理规则来增加基础制程。

    不过两种方式都有技术限制，两边现在打得有来有往，还没有达到存在制程代差的地步。

    ASML的EUV（极紫外光）光刻机完成了工程化突破，首台预生产机NXE:3100已经面世，不过稳定性非常差，日均宕机6次，同样没有生产价值。

    要等到EUV光刻机的量产，才是真正的掀桌子。

    桌子只要没掀，哪怕只差一代，光刻机只要还存在竞争，中国芯片制造都还可以找到漏洞，上桌吃饭。

    中国芯片制造只要还在桌上，外界压力就不会太大。

    这个问题，就跟京东方的面板一模一样，垄断和非垄断，谈判空间和地位截然不同。

    还有三年。

    “这些问题是国家要去解决的，你不用把压力放在自己身上。”辛梦真仿佛能感觉到陈学兵的压力，话声温柔地抚慰着他，“如果有什么能帮你的，就告诉我。”

    你帮我？

    陈学兵笑了笑：“行啊，我现在想睡个好觉，你陪陪我，别挂电话。”

    对面没有作声，电话也没挂。

    陈学兵把手机放在床头柜，稳稳睡去。