第206章 新一代半导体材料(4/4)
成熟的半导体材料硅的晶格常数是5.43,砷化镓的晶格常数是5.65,但氧化镓的晶格常数直接跳过两位数,来到了三位数,几乎是硅的20倍!
“不用继续检测了,直接通电测数据!”
肖蒙当机立断,这是最简单最快速的检测方式,只是这样可能造成样品的损坏,但她已经迫不及待的想要拿到这块薄片的参数了,反正制备方法他们已经掌握,即便是损坏,也可以再制备一片便是。
“我来!”
刚刚完成几个小时制备的杨驰顾不得疲惫,冲上前去,亲自动手实验。
鄂维南也是快步来到检测室旁,眼中已经有喜色涌动,氧化镓种种不同凡响的表现,似乎已经在谕示着什么了。
很快,在杨驰的操作下,一组组的数据被测量出来。
禁带宽度4.8-4.9 eV,远超当前主流半导体硅的1.1 eV、碳化硅的3.25 eV和氮化镓的3.4 eV,
临界击穿场强8MV/cm,是碳化硅(3 MV/cm)的2.7倍,硅(0.3 MV/cm)的27倍!
导通电阻理论值仅为硅的1/3000、碳化硅的1/6,在相同电压下损耗降低98%!
并且氧化镓可通过熔体法生长大尺寸单晶,成本将大幅度降低,且单晶生长速度更快,这绝对是一种极其优秀的新半导体材料!
第四代半导体材料!
一组组数据先后被测量出来,见证了这一刻的所有人都明白,半导体界新的王者已经出现!
“我们……成功了?”
蔻依似乎还有些不敢相信。
实验室中却早已经陷入一片欢腾,
陈辉也开心的笑了起来,他现在已经知道五月的华夏数学学会年会要汇报什么成果了。