了GaN理论上存在的高缺陷（位错）密度，会影响光强以外，GaN的合成困难也是一个重要原因。

    GaN材料的生长温度比传统半导体要高很多，一般在 1000 度以上。在如此高温下，衬底表面的气体会自发向上扩散，造成外延表面的氮分压不够，GaN很容易自发分解。

    在陈泉提供的图纸中，提供了一种全新的结构，那就是双束流反应室结构。即一路为水平气流携带化学反应的前驱物进入反应室，另外一路为垂直的气流从反应室自上而下进入。

    两股气流，一个是侧吹，一个是从上往下吹。自上而下的那股气流，就起到了压制GaN分解的作用。

    原理说起来简单，但MOCVD的内部流体结构非常复杂，两股气流之间的相互关系，角度，速度，以及反应温度等，都需要通过多次试验，才能最后确定下来。

    在陈泉的“记忆”里，“他”大概花了一周多的时间，才把几个重要数据完全确定。

    “来，开始吧。”

    在陈泉的点头示意下，设备开始通电

    (本章完)